Настроить тайминги оперативной памяти ddr4 программа

Содержание

На github.com кто-то заморочился и сделал полноценный г айд по разгону оперативной памяти DDR4 на Intel и AMD Ryzen. А в качестве базовой информации в дополнении к нашему видео он будет полезен каждому.

Делимся переводом, приятного прочтения.

Содержание

1. Подготовка
2. Ожидания и ограничения
2.1 Материнская плата
2.2 Микросхемы
2.2.1. Отчёты Thaiphoon Burner
2.2.2. О рангах и объёме
2.2.3. Масштабирование напряжения
2.2.4. Ожидаемая максимальная частота
2.2.5. Биннинг
2.2.6 Максимальное рекомендованное повседневное напряжение
2.2.7 Ранговость
2.3 Встроенный контроллер памяти (IMC)
2.3.1 Intel – LGA1151
2.3.2. AMD – AM4
3. Разгон
3.1.Нахождение максимальной частоты
3.2. Пробуем повысить частоты
3.3. Оптимизация таймингов
3.4. Дополнительные советы
3.4.1 Intel
3.4.2. AMD

Подготовка

Ожидания и ограничения

В этом разделе рассматриваются 3 компонента, влияющие на процесс разгона: микросхемы (чипы памяти), материнская плата и встроенный контроллер памяти (IMC).

Инструкция по разгону оперативной памяти и настройке таймингов.

МАТЕРИНСКАЯ ПЛАТА

Самые высокие частоты достигаются на материнских платах с 2-мя слотами DIMM.
На материнских платах с 4-мя слотами DIMM максимальная частота памяти зависит от количества установленных планок.
На материнских платах, работающих с цепочечной (daisy-chain) микроархитектурой RAM , лучше использовать 2 планки памяти. Использование 4-х планок может существенно снизить максимальную частоту памяти.
Платы же с Т-образной топологией, напротив, наилучшие показатели при разгоне обеспечат с 4-мя планками. А использование 2-х планок не столь существенно повлияет на максимальную частоту памяти, как использование 4-х на daisy-chain (?).
Большинство поставщиков не указывают используемую топологию, но её можно «вычислить» на основе прилагаемого к материнской плате списка совместимых устройств (QVL – Qualified Vendor List). Например, Z390 Aorus Master , вероятно, использует Т-топологию, поскольку наибольшая частота демонстрируется с использованием 4-х модулей DIMM. Если же максимальная частота демонстрируется на 2-х модулях DIMM, то, вероятно, используется топология daisy-chain.
По словам известного оверклокера buildzoid’а, разница между Т-образной и цепочечной топологиями проявляет себя только на частотах выше 4ГГц. То есть, если у вас Ryzen 3000, то топология значения не имеет, поскольку 3,8ГГц – как правило, максимум для частоты памяти при соотношении MCLK:FCLK 1:1.

Замечено также, что дешёвые материнские платы могут не разогнаться, возможно по причине низкого качества печатной платы и недостаточного количества слоёв (?).

МИКРОСХЕМЫ (ЧИПЫ ПАМЯТИ)

Отчёты Thaiphoon Burner

Hynix CJR 8 Гб (одноранговая)

Micron Revision E 8 Гб (одноранговая)

По общему мнению, свои отбракованные низкосортные чипы Micron реализует под брендом SpecTek. Многие стали называть этот чип “Micron E-die” или даже просто “E-die”. Если в первом случае ещё куда ни шло, то во втором уже возникает путаница, поскольку подобная маркировка («буква-die») используется у микросхем Samsung, например – “4 Гб Samsung E-die”. Под “E-die” обычно подразумевается чип Samsung, поэтому стоит уточнять производителя, говоря о чипах Micron Rev. E как об “E-die”.

Как разогнать оперативную память. Инструкция для чайников.

Samsung B-die 8 Гб (двуранговая)

О рангах и объёме

Одноранговые модули обычно позволяют добиться более высоких частот, однако двуранговые модули, при той же частоте и таймингах, могут оказаться более производительными благодаря чередованию рангов.
Объем важен при определении того, насколько можно разогнать память. К примеру, AFR 4 Гб и AFR 8 Гб разгоняться будут по-разному, несмотря на то, что оба они AFR.

Масштабирование напряжения

Масштабирование напряжения попросту означает, как чип реагирует на изменение напряжения. Во многих микросхемах tCL масштабируется с напряжением, что означает, что увеличение напряжения может позволить вам снизить tCL. В то время как tRCD и tRP на большинстве микросхем, как правило, не масштабируются с напряжением, а это означает, что независимо от того, какое напряжение вы подаёте, эти тайминги не меняются. Насколько я знаю, tCL, tRCD, tRP и, возможно, tRFC могут (либо не могут) видеть масштабирование напряжения. Аналогичным образом, если тайминг масштабируется с напряжением, это означает, что вы можете увеличить напряжение, чтобы соответствующий тайминг работал на более высокой частоте.

Масштабирование напряжения CL11

На графике видно, что tCL у CJR 8 Гб масштабируется с напряжением почти ровно до 2533 МГц. У B-die мы видим идеально-ровное масштабирование tCL с напряжением.

Некоторые старые чипы Micron (до Rev. E) известны своим отрицательным масштабированием с напряжением. То есть при повышении напряжения (как правило, выше 1,35 В) они становятся нестабильными на тех же таймингах и частоте. Ниже приведена таблица некоторых популярных чипов, показывающая, какие тайминги в них масштабируются с напряжением, а какие нет:

Тайминги, которые не масштабируются с напряжением, как правило необходимо увеличивать с частотой. Масштабирование напряжения tRFC у B-die.

Примечание: Шкала tRFC в тактах (тиках), не во времени (нс).

Ожидаемая максимальная частота

Ниже приведена таблица предполагаемых максимальных частот некоторых популярных чипов:

* – результаты тестирования CJR у меня получились несколько противоречивыми. Я тестировал 3 одинаковых планки RipJaws V 3600 CL19 8 Гб. Одна из них работала на частоте 3600 МГц, другая – на 3800 МГц, а последняя смогла работать на 4000 МГц. Тестирование проводилось на CL16 с 1,45 В.

Не ждите, что одинаковые, но разнородные по качеству, чипы производителя одинаково хорошо разгонятся. Это особенно справедливо для B-die.

Суть биннинга заключается в разделении производителем полученной на выходе продукции «по сортам», качеству. Как правило, сортировка производится по демонстрируемой при тестировании частоте.

Чипы, показывающие одну частоту, производитель отделяет в одну «коробку», другую частоту – в другую «коробку». Отсюда и название процедуры – “binning” (bin – ящик, коробка).

B-die из коробки «2400 15-15-15» намного хуже чем из коробки «3200 14-14-14» или даже из «3000 14-14-14». Так что не ждите, что третьесортный B-die даст образцовые показатели масштабирования напряжения.

Чтобы выяснить, какой из одинаковых чипов обладает лучшими характеристиками на одном и том же напряжении, нужно найти немасштабируемый с напряжением тайминг.

Просто разделите частоту на этот тайминг, и чем выше значение, тем выше качество чипа. Например, Crucial Ballistix 3000 15-16-16 и 3200 16-18-18 оба на чипах Micron Rev. E. Если мы разделим частоту на масштабируемый с напряжением тайминг tCL, мы получим одинаковое значение (200). Значит ли это, что обе планки – одного сорта? Нет.

А вот tRCD не масштабируется с напряжением, значит его необходимо увеличивать по мере увеличения частоты. 3000/16 = 187,5 против 3200/18 = 177,78.

Как видите, 3000 15-16-16 более качественный чип, нежели 3200 16-18-18. Это означает, что чипы 3000 15-16-16 очевидно смогут работать и как 3200 16-18-18, а вот смогут ли 3200 16-18-18 работать как 3000 15-16-16 – не факт. В этом примере разница в частоте и таймингах невелика, так что разгон этих планок будет, скорее всего, очень похожим.

Максимальное рекомендованное повседневное напряжение

Спецификация JEDEC указывает (стр. 174) , что абсолютный максимум составляет 1,50 В

Напряжения, превышающие приведенные в разделе «Абсолютные максимальные значения», могут привести к выходу устройства из строя. Это только номинальная нагрузка, и функциональная работа устройства при этих или любых других условиях выше тех, которые указаны в соответствующих разделах данной спецификации, не подразумевается. Воздействие абсолютных максимальных номинальных значений в течение длительного периода может повлиять на надежность.

Я бы советовал использовать 1,5 В только на B-die, поскольку известно, что он выдерживает высокое напряжение. Во всяком случае, у большинства популярных чипов (4/8 Гб AFR, 8 Гб CJR, 8 Гб Rev. E, 4/8 Гб MFR) максимальное рекомендуемое напряжение составляет 1,45 В. Сообщалось, что некоторые из менее известных чипов, таких как 8 Гб C-die, имеют отрицательное масштабирование или даже сгорают при напряжении выше 1,20 В. Впрочем, решать вам.

Ниже показано, как самые распространенные чипы ранжируются с точки зрения частоты и таймингов.

8 Гб B-die > 8 Гб Micron Rev. E > 8 Гб CJR > 4 Гб E-die > 8 Гб AFR > 4 Гб D-die > 8 Гб MFR > 4 Гб S-die. На основе оценок buildzoid’а .

ВСТРОЕННЫЙ КОНТРОЛЛЕР ПАМЯТИ (IMC)

Intel: LGA1151

IMC от Intel достаточно устойчивый, поэтому при разгоне он не должен быть узким местом. Ну а чего ещё ждать от 14+++++ нм?

Для разгона RAM необходимо изменить два напряжения: System Agent (VCCSA) и IO (VCCIO) . Не оставляйте их в режиме “Auto”, так как они могут подать опасные уровни напряжения на IMC, что может ухудшить его работу или даже спалить его. Большую часть времени можно держать VCCSA и VCCIO одинаковыми, но иногда перенапряжение может нанести ущерб стабильности, что видно из скриншота :

предоставлено: Silent_Scone.

Я не рекомендовал бы подниматься выше 1,25 В на обоих.

Ниже – предлагаемые мной значения VCCSA и VCCIO для двух одноранговых модулей DIMM:

Если модулей больше, и/или используются двуранговые модули, то может потребоваться более высокое напряжение VCCSA и VCCIO.

tRCD и tRP взаимосвязаны, то есть, если вы установите tRCD на 16, а tRP на 17, то оба будут работать с более высоким таймингом (17). Это ограничение объясняет, почему многие чипы работают не очень хорошо на Intel и почему для Intel лучше подходит B-die.

В UEFI Asrock и EVGA оба тайминга объединены в tRCDtRP. В UEFI ASUS tRP скрыт. В UEFI MSI и Gigabyte tRCD и tRP видны, но попытка установить для них разные значения приведет просто к установке более высокого значения для обоих.

Как разогнать оперативную память DDR4 и не спалить ее — разгон Micron E-die на Ryzen (Zen+) — баланс между температурой, напряжением, частотой и таймингами

Пользовательский гайд по разгону оперативной памяти. Исследование влияния частот и таймингов на прирост производительности. Выявление баланса между ростом температур и приростом производительности.

10 мая 2020, воскресенье 23:18
FlyingBad [ ] для раздела Блоги
-15% на iPhone SE 2022 = оч дешево, надо брать
iPhone 14 128Gb — цена УПАЛА на порядок
Новейшая 4060 Gigabyte дешевле 40 тр
-37 000р на iPhone 14 Pro Max
4К телевизоры до 20.000р — целая гора от 50″
iPhone 14 по цене 12го — смотри
-32% на 4K TV Samsung 55″ = менее 50тр
MSI Ventus 4060 Ti на 3000р дешевле 3060 Ti
120 «/ 254 см лазерный TV Hisence дешево — смотри

За пост начислено вознаграждение

Вступление

Многие из вас уже давно наслышаны о пользе разгона оперативной памяти для увеличения производительности ПК в играх и рабочих задачах. Особенно это касается процессоров Ryzen (если рассматривать современные решения), для которых разгон памяти — это основа быстродействия, это некий ритуал, который совершает каждый владелец ПК на «красном» процессоре, чтобы получить еще больше производительности.

Но многие ли из вас догадываются, что неправильный разгон оперативной памяти может лишь ухудшить работу ПК: приводить к сбоям в работе, вылетам, различным глюкам и зависаниям? Что перенапряжение может пагубно сказаться на работе оперативной памяти, и серьезно сократить ее жизненный цикл?

Если вы об этом ранее не догадывались, то специально для вас, дорогие читатели, я около 3 месяцев исследовал разгон оперативной памяти типа DDR4 на процессорах Ryzen с микроархитектурой Zen+. Я следил за поведением системы с разными профилями разгона, замерял температуры плашек памяти при тестировании, искал нужный баланс между таймингами, напряжением и частотой, пробовал различные методики, чтобы прийти к тому, к чему я пришел сегодня — оптимальный разгон памяти для Ryzen (в моем случае с микроархитектурой Zen+).

рекомендации
iPhone 14 256Gb — цена снижена на порядок
-120000 на 8K Samsung 75″ — смотри цену
70″ TV 4K Samsung — цена упала на порядок
Ищем PHP-программиста для апгрейда конфы
MSI RTX 4070 за копейки в Регарде
-30000р на iPhone 14 Pro Max в Ситилинке
В два раза упала цена 2Tb SSD Silicon Power
iPhone 14 Pro Max — цена в рублях круто пошла вниз

4080 Gigabyte Gaming — за копейки в Регарде
-20000р на 4080 MSI Suprim X
iPhone 14 Pro дешевеет в рублях тоже смотри
-30% на 50″ 4K TV Samsung = дешевле 50 тр
S23 Ultra — цены нехило пошли вниз
13900K в Регарде дешевле чем при курсе 60

Данная статья будет ориентирована в первую очередь на новичков в разгоне DDR4 на Ryzen, которые просто хотят узнать, как стабильно и правильно разогнать оперативную память. Статья не имеет цели нагружать пользователя бесполезной для него информацией и терминологией. Будет произведен разгон, описана методика, высказаны основные принципы и практические советы. Далее мы произведем температурные замеры ОЗУ под двумя разными профилями разгона и наконец выясним реальный прирост производительности в играх от разгона оперативной памяти.

Подготовка к разгону оперативной памяти

Итак, в первую очередь, если вы собрались подойти к разгону оперативной памяти с головой — выключите YouTube. Методики «разгон памяти за 10 минут», «разгон памяти за 1 минуту» и прочие популярные видео, которые можно встретить на столь популярной площадке по теме разгона E-die — это откровенная чушь, эти методики под большим вопросом помогут именно вам, но я вам даю 100% гарантию, что любая методика разгона, где применяется поднятие напряжения до 1.45 вольта на чипах Micron E-die, сократит их жизнь на порядок. Вы ведь купили комплект бюджетной (относительно) оперативной памяти не для того, чтобы она у вас сгорела или начала сбоить через полгода? Вот поэтому советую вам забыть о методах из YouTube и начать думать своей головой.

Теперь, когда вы перестали следовать гайдам из YouTube, скачайте такие программы, как Thaiphoon Burner, TestMem5 и Ryzen DRAM calculator, если их у вас еще нет. Также настоятельно рекомендуется обзавестись Aida64 и Ryzen Timings Checker.

Далее если вы не уверены, какие у вас чипы памяти, запустите Thaiphoon Burner и проверьте, какими чипами памяти наделена ваша оперативная память. Также полезным будет узнать ранковость памяти и число установленных планок памяти, а также наличие XMP (предустановленного разгона). Все это можно узнать в данной утилите. Немаловажным является объем оперативной памяти.

Чем он больше, тем сложнее ее разогнать, так как возрастает нагрузка на контроллер памяти в процессоре. Который, к слову, в Zen+ процессорах далеко не идеален.

Далее вам следует выяснить, на основе какой микроархитектуры ваш процессор, если вы еще этого не знаете. Наименование своего процессора вы можете посмотреть через диспетчер устройств в Windows. Далее вы ищите в интернете, какая микроархитектура лежит в основе вашего процессора. Это очень важно, так как от этого напрямую зависят результаты разгона.

Если вы обладатель процессора с микроархитектурой Zen, то вы можете в среднем рассчитывать на частоту в 3200 — 3400 MHz. Для Zen+ максимумом является частота 3533 MHz. Обладатели процессоров Zen 2 могут смело разгонять память до 3800, но будьте осторожны с делителем.

Далее мы переходим к материнской плате. Если вы не хотите глубоко вникать в процесс разгона, то вам пригодится лишь узнать, на основе какого чипсета выполнена ваша материнская плата. Также желательно знать ее модель, если вы еще этого не знаете. Также на разгон оперативной памяти напрямую влияет количество слотов под память.

Если в вашей плате всего два слота — то вам повезло и модули могут разогнаться лучше, чем на плате с 4 слотами (статистически). Также важна топология материнской платы и расположение слотов, в которые была установлена память. Если ваша плата не обладает T-топологией, проще говоря, если вы не обладатель, например, Asrock X470 Taichi и ASUS ROG Crosshair VI, то модули следует расположить в слоты A2 и B2.

Материнские платы с T-топологией уникальны тем, что им все равно, сколько у вас оперативной памяти и как она расположена. Еще один важный фактор — количество PCB-слоев. Но для новичков это уже совсем дебри. Но если вам интересно, то хорошие материнские платы обладают большим количеством PCB слоев.

Многие думают, например, что покупать плату на X чипсете для AMD — это переплата и проще взять плату на B чипсете. Но, хоть плата плате рознь, а платы на X чипсете имеют в среднем больше PCB слоев, чем платы на B чипсете (или вообще A). Узнать количество PCB слоев достаточно легко на платах MSI — их число указано на обратной стороне платы с краю. Если ваша плата обладает 6-8 слоями PCB, то вам повезло чуть больше.

На этом для вас весь подготовительный этап завершен. Да, я изначально обещал не вводить вас в терминологию и тонкости, но все это была основа основ, которая необходима для правильного разгона памяти на процессорах Ryzen.

Простой разгон оперативной памяти с чипами Micron E-die и доработка результатов

Итак, переходим непосредственно к самой простой и 100% рабочей методике разгона. Вы ведь уже скачали последнюю версию Ryzen DRAM calculator? Отлично, тогда переходим в него и начинаем заполнение программы своими данными.

Всю необходимую информацию мы уже узнали на подготовительном этапе, осталось лишь внести ее в калькулятор и нажать на кнопку «Calculate SAFE» (рекомендую именно этот режим, так как с ним справятся даже самые «тугие» модули).

Далее мы переносим данные значения в BIOS. Рекомендую значения напряжений выставлять чуть выше рекомендованных калькулятором. И в случае чего их снижать. Заполнять значения таймингов в BIOS следует крайне внимательно, чаще всего ошибки появляются из-за неверных значений таймингов. Поэтому для начала разберитесь со своим BIOS, узнайте названия таймингов и опций, потом начинайте вносить изменений.

После того, как вы перенесли все результаты калькулятора в BIOS, настоятельно рекомендуется сохранить эти результаты в отдельный профиль, чтобы в случае чего редактировать его и не переносить все значения калькулятора повторно. Также не лишним будет установить количество попыток повторной загрузки ПК в случае сбоя. В каждом BIOS этот пункт называется по-своему. Советую ставить это количество попыток на 1, максимум 2.

После этого мы перезагружаем компьютер. Если во время перезагрузки компьютер зависает и даже не доходит до BIOS, то отключите питание компьютера (отключите сам блок питания), извлеките батарейку из материнской платы и закоротите контакты на плате в том месте, где была установлена батарейка. Это проще всего сделать отверткой.

Альтернативные варианты «лечения» — кнопки clear cmos и memok, если таковые имеются. Но бывает и такое, что просто извлечь батарейку и закоротить контакты бывает недостаточно. Можете также вытащить сами модули памяти и поменять их местами (не лишним будет обезжирить контакты на памяти), чаще всего это «лечит» все глюки.

Когда ПК снова запустится, рекомендую чуть увеличить или уменьшить напряжение на самих модулях, чуть поднять напряжение на контроллер памяти, снизить частоту разгона, чуть увеличить тайминги. Комплексно это выполнять не следует. Чаще всего бывает достаточно снизить частоту памяти. Если компьютер доходит до Windows и далее начинаются ошибки и другие неполадки, описывать которые можно крайне долго и нудно, мы просто выполняем все те действия, которые описывались чуть ранее.

Итак, теперь приступаем к проверке оперативной памяти. Сначала мы проверяем наш разгон программой TestMem5. Если тест был пройден с ошибками, то мы приступаем к уже описанным методам «лечения». Если ошибок при тесте не было, то не лишним будет «прогнать» тест памяти в Aida64 или нагрузить память на несколько часов любой другой программой, и тем самым проверить стабильность.

Если все прошло хорошо, то мы переходим к следующему этапу, если есть какие-то сбои и ошибки, то. Вы уже сами должны догадываться, что делать.

Теперь вы либо завершаете разгон, либо, если вам важен каждый FPS и вы хотите, чтобы ваша система выдавала максимум от возможной производительности, то следует приступить к более детальной оптимизации оперативной памяти и «доработке» разгона. После чего следует опять все проверить. И, самое главное сравнивать результаты именно в тех задачах, ради которых вы разгоняете память.

Но, я уверен, что сейчас найдется несколько несчастных, которые «проиграли» в кремниевую лотерею. Память которых «отказывается» адекватно работать даже в «щадящем» режиме. Тут можно посоветовать поставить параметр «DRAM PCB revision» в одно из значений: «A0», «bad bin» или «manual». Значение «manual» и «bad bin» подходят для самых неудачных модулей. Если и это вам не помогло — снижайте частоту.

Но в случае с E-die (а данный гайд ориентирован на владельцев памяти с данными чипами) такого просто не может быть (если это не откровенный брак).

О доработке результатов я могу лишь дать вам практические советы, но не четкую инструкцию к действиям, что будет даже правильней, потому что вся память уникальна и на достижение результатов выше, чем может выдать калькулятор, может повлиять личная удача энтузиаста.

Практические советы по ручному разгону памяти с чипами Micron E-die, основные принципы при регулировке напряжения и настройке таймингов

Итак, представляю вашему вниманию мой итоговый результат разгона после оптимизации и ручной «доработки». В зеленых рамочках выделены те значения, которые я выбрал в калькуляторе, а в красных рамочках находятся те результаты, которые я оптимизировал под свою память.

Итак, вот те принципы, которым я следовал, когда «ужимал» первичные и вторичные тайминги:

Power Down mode должен быть отключен всегда.
Gear Down mode влияет на итоговую латентность (в худшую сторону), но для того, чтобы взять более высокие частоты, его необходимо обязательно включить.
Command Rate всегда выставляется в значение 1T (количество тактов).
Первый тайминг tCL настраивается точно также, как он задан в XMP или в калькуляторе. Как-то ужимать его очень сложно и приводит к нестабильности, если не задирать напряжение.
tRP и tRCDWR могут быть на два пункта ниже, чем первый тайминг tCL (следует выбирать четные значения)
tRAS вычисляется по формуле tRCD + tBL + tWR.
tRC должен быть больше либо равен tRAS+TRP. В моем случае память заработала даже на значении в 50.
tFAW можно смело «ужимать» в 1.5, а в некоторых случаях и в 2 раза от того результата, который выдает калькулятор или XMP.
SOC Voltage 100% безопасно повышать можно до 1.1 вольта, но подходящие значения находятся в трех вариантах: 1.025 — 1.05 и 1,1. Чаще всего среднего значения (для гарантии) бывает достаточно.
Чипы Micron E-die не самые холодные и их эффективность слабо зависит от напряжения, подаваемого на них. Категорически не рекомендуется повышать напряжение выше 1.4 вольта.

Итак, спустя почти 3 месяца изучения платформы AM4 и разгона памяти с процессором Zen+, я добился стабильного результата разгона.

Но все мои прошлые попытки разгона я, естественно, сохранял в отдельные профили в BIOS. Одно время я добился стабильного результата на частоте в 3400 с таймингами CL 14 при напряжении 1.45 вольта, но почему я отказался от такого разгона вы узнаете далее.

Замеры температур модулей памяти при разном вольтаже — как перегреваются и выходят из строя модули оперативной памяти.

Итак, среди читателей есть некоторая категория людей, которые не верят в то, что от высокого напряжения модули памяти могут сильно разогреваться. Итак, данное тестирование я посвящаю всем тем, кто до сих пор думал, что радиаторы на оперативной памяти — это маркетинг и «украшение».

Итак, вот такие температурные показатели имеют модули при напряжении в 1.39 вольта. Быть может, реальная температура даже выше на пару градусов, но если их трогать рукой, то они реально горячие, но пальцы не обжигают.

Такие температурные показатели получились в открытом стенде при тестировании оперативной памяти программой TestMem5 в течение 8 минут.

Если для вас это кажется уже много и ваше представление о «холодной современной памяти» разрушилось, то даже не смотрите на результаты при напряжении в 1.45 вольт.

Удивлены? Если вы все-таки «кочегарите» память, то не лишним будет заняться обдувом модулей памяти. Но лучше не выходить за рамки 1.4 вольт для Micron E-die.

При этом сама память выдавала следующие результаты в AIDA64 Memory

Системная плата: Asus TUF B450M PRO GAMING;

Система охлаждения процессора: AMD Wraith Spire ;

Термопаста: AMD;

Видеоадаптер: GeForce GTX 1060 Xtreme Gaming 6G;

Накопители: Samsung SSD 850 120GB (под Windows), Western Digital WD Blue 1 TB (под игры);

Блок питания: Enermax Revolution D.F. , 650 Ватт;

Корпус: Thermaltake View 31 TG;

Монитор: Sharp Aquos lc-26le320e-bk ;

Операционная система: Windows 10 Pro x64 (1909).

Тестирование

Игра тестировалась на следующих настройках графики. Стоит обратить внимание, что видеокарта GTX 1060 6Gb в некоторых местах загружалась на 100%, поэтому результаты выходят не совсем эталонными.

Настройки графики

Прошу ознакомиться с результатами тестирования. Эффективность разгона оперативной памяти проверялась изменением значения 1% FPS.

Тестовый отрезок — встроенный в игру бенчмарк.

Результаты тестирования вышли следующие. Прирост FPS от разгона памяти составил 20%, если сравнивать со значениями, которые память выдавала в стоке. Но остается один вопрос — как память на CL16 обогнала память на CL14? Легендарные «14-19-14-32» с некоторыми ужатыми вторичными таймингами, проповедуемые некоторыми блогерами в YouTube, оказались на уровне XMP по показателю 1% FPS. Почему так произошло — попробуем выяснить уже в комментариях, где вы также сможете похвастаться своими результатами разгона памяти и обсудить данную статью.

Заключение

Надеюсь, что данная статья окажется полезной всем тем, кто только начал осваивать разгон памяти на Ryzen, или уже успел разочароваться в своих оверклокерских навыках, до конца не разобравшись в специфике разгона ОЗУ на AM4.

В заключении стоит еще раз напомнить, что разгон с овервольтажами ради циферок и бездумное копирование чьих-то параметров разгона ни к чему хорошему не приведут. В первую очередь следует обращать внимание на результаты разгона в реальных задачах и подходить к разгону с головой, обращая внимание на поведение компьютера и температуры.

За пост начислено вознаграждение

Источник: overclockers.ru

Разгон оперативной памяти DDR4: инструкция и процедура разгона

Оперативная память — это временное хранилище данных, которые подвергаются обмену между жестким диском и центральным процессором. Также ее можно использовать как резерв объема памяти для интегрированных графических адаптеров. Это одна из главных составляющих в системе, без которой не запустится компьютер.

Разгон ОЗУ

Ее показатели могут многое поведать о возможностях оперативной памяти. Например, чем выше цифра в поколении, тем выше будут номинальные частоты. Тайминги задержки показывают, сколько времени понадобится оперативной памяти для обработки информации. Частота отвечает за быстродействие системы. Объем также имеет большое значение, так как чем он больше, тем больше данных одновременно сможет обработать ОЗУ.

Советы специалистов

При установке оперативной памяти нужно учитывать несколько простых истин. Во-первых, не весь объем будет доступен в пользовании, так как полтора-два гигабайта занимает операционная система. Во-вторых, при запуске особенно требовательных игр стоит закрыть браузер и прочие «прожорливые» программы и приложения. В-третьих, ее объем никак не сказывается на размере жесткого диска, потому что жесткий диск — это постоянное хранилище, а оперативная память — это временное хранилище с последующей обработкой данных. Современные планки оперативной памяти обладают автоматической настройкой собственного профиля, что хорошо экономит время при эксплуатации.

Что это такое и для чего необходимо

разгон оперативной памяти

Прежде чем начинать разгон оперативной памяти DDR4, нужно прояснить некоторые нюансы. ОП — это то устройство, которое меньше всего подвергается износу, в отличие от остальных комплектующих в системе. Однако, устроив разгон оперативной памяти DDR4, можно значительно уменьшить ее срок функционирования.

При таких процедурах важно учитывать, что выставлять настройки придется не единожды, так как экспериментировать придется с таймингами, частотами и напряжением. Повышая частоту, можно увеличить задержки тайминга, но тогда скорость работы упадет, потому что именно минимальный показатель отвечает за быстродействие оперативной памяти.

Есть три составляющие, которые влияют на разгон оперативной памяти DDR4 — это формат оперативной памяти и ее параметры, разновидность процессора и БИОС материнской платы. Также нужно учитывать профиль ОЗУ, который маркируется как ХМР. Данный профиль указывает на разгонный потенциал оперативной памяти. Существует немало процессоров нового поколения, которые способны раскрыть потенциал ОЗУ, используя встроенный контроллер памяти.

Разгоняют оперативную память для того, чтобы максимально увеличить производительность всей системы, ведь чем выше частоты у данного комплектующего, тем быстрее система сможет отвечать на запросы пользователя. В основном такими процедурами пользуются геймеры, так как в играх требуется большой объем памяти и высокие частоты.

При разгоне всегда повышается вольтаж, поэтому производители оперативной памяти не рекомендуют повышать данный показатель больше чем на полтора вольта. Однако некоторые модули способны выдержать входное напряжение до 1,65 вольта.

Комплектация Kingston HyperX Fury

Комплектация планок оперативной памяти от Kingston довольно скромная и не содержит ничего лишнего. Пластиковый кейс надежно защищает модули от внешних повреждений, которые могут возникнуть при транспортировке. Открыв коробку, можно увидеть помимо планок инструкцию по эксплуатации и наклейку от производителя. В качестве приятного бонуса компания предоставляет пожизненную гарантию на ремонт оперативной памяти, но только в случае покупки в комплекте.

Для лучшего охлаждения модули оснащены защитным корпусом с радиатором. Охлаждение при разгоне играет важную роль, так как повышается энергопотребление и растет тепловыделение.

На задней стороне есть наклейка с данными HX424C15FBK432, которая расшифровывается следующим образом:

HX — модель оперативной памяти HyperX;
4 — принадлежность к стандарту DDR4;
24 — определение рабочей частоты 2400 мегагерц;
C — данная маркировка указывает на то, что оперативная память относится к настольному типу компьютеров;
15 — такова задержка чтения данного модуля;
F — маркировка модели Fury;
B — обозначение цветового сегмента планки;
K4 — комплектация, в данном случае — четыре штуки;
32 — общий объем оперативной памяти.

Для того чтобы упростить процедуру установки модулей оперативной памяти в материнскую плату, производитель обеспечил возможность автоматического подключения. Данный параметр особенно важен в том случае, если нет возможности самостоятельно настроить показатели работы оперативной памяти.

Описание для тестирования Kingston HyperX Fury

Первый пример разгона оперативной памяти DDR4 Kingston HyperX Fury тестируется в комплекте планок в размере четырех штук, а их общий номинал составляет 64 гигабайта. Для тестирования используется игровая материнская плата ASUS ROG RAMPAGE V EDITION 10.

Итак, четыре планки по 16 гигабайт каждая обладают специальным профилем XMP для разгона оперативной памяти DDR4 Kingston HyperX. Работают эти планки с частотой до 2133 мегагерц, а задержка составляет 14-14-14-35-2Т. Несмотря на такие мощные показатели, входное напряжение составляет всего 1,2 ватта.

Описание процессора и процедура разгона

Процессоры с сокетом 2011 третьей ревизии обладают встроенным контроллером памяти, что не дает раскрыть процессорам данного поколения весь потенциал оперативной памяти, но это с лихвой компенсируется тем, что они предназначены для работы в четырехканальном режиме.

Начинать разгон оперативной памяти Kingston стоит с программы БИОСа. Для начала стоит обратить внимание на базовый генератор, где предстоит выставить число 125 мегагерц, а входное напряжение должно быть равным 1,475 вольта. Там, во вкладке Extreme Tweaker, есть раздел DRAM Timing Control, где выставляются параметры таймингов — 13-16-16-21-1Т.

После выставления настроек можно проверить в программах, которые предназначены для диагностики системы. Таким образом, удалось обеспечить разгон оперативной памяти DDR4 HyperX Fury до трех гигагерц. Это самый лучший результат. Разгон оперативной памяти DDR4 с 2133 до 3000 мегагерц позволяет системе быстрее функционировать и отвечать на запросы.

DDR4-2133 Corsair Vengeance

Как и в предыдущем варианте, данная оперативная память хорошо функционирует с процессорами «Сокет 2011-3» и АМ4. В комплекте четыре планки по четыре гигабайта, форм-фактор соответствует стандарту DIMM, а временная задержка составляет 13-15-15-28. В стандартном режиме ОЗУ работает с частотами от 1333 до 2133 мегагерц, но с профилем XMP второй версии можно начинать разгон оперативной памяти DDR4 Corsair Vengeance с показателей 2133 или 2400 мегагерц.

Комплектация модулей выглядит внушающей — картонная коробка, внутри которой два пластиковых контейнера, в каждом по два модуля. Такая упаковка надежно защищает не только от ударного урона, но и от статических повреждений.

Комплектация модулей

Внешний вид планок выполнен качественно, особенно что касается системы охлаждения самих модулей. Самостоятельно радиаторы, установленные на планках оперативной памяти, могут охладить разогнанные модули, которые работали несколько часов подряд, до 42 градусов по Цельсию.

Есть возможность снять систему охлаждения, но тогда возникает риск повреждения чипов памяти и нарушение гарантии. Между микросхемами и радиатором расположена специальная термопрокладка, которая обеспечивает плотный контакт между ними, заполняя собой все свободное пространство.

Поставщиком чипов для данной оперативной памяти является Hynix — компания, которая поставляет чипы для различных видов комплектующих.

Программа для тестирования ОЗУ

С помощью утилиты AIDA64 можно провести бенчмарк оперативной памяти. Скорость чтения данных составляет 46747 мегабайт в секунду, а скорость записи информации равна 58422 мегабайта в секунду. Не менее важен показатель, который отвечает за копирование данных, — его скорость равна 48813 мегабайта в секунду.

Разгон комплекта

Для начала стоит в БИОСе выставить делитель, который позволит максимально увеличить частоту работы оперативной памяти. Далее необходимо увеличить вольтаж, так как чем выше частота работы, тем больше энергии потребуется оборудованию. Выше показателя в полтора вольта поднимать не рекомендуется, но некоторым пользователям удается поднять данное значение до отметки 1,65 вольта.

По окончанию настроек разгона оперативной памяти DDR4 Corsair показатель увеличивается до трех гигагерц, что можно заметить при тестировании в программах или в играх. В то же время разгон с показателя 2133 до 2400 мегагерц дает всего 1-2 процента прироста в играх.

DDR4 Samsung

Данная оперативная память предоставляется в самом простом варианте, то есть без подсветки и без корпуса с радиатором. Есть три вида оперативной памяти от данного производителя, а отличаются они частотами. Далее будет рассмотрен вариант разгона оперативной памяти DDR4 Samsung с частотой 2400.

Внешний вид платы указывает на одностороннее расположение чипов памяти. Маркировка на задней стороне показывает пользователю на то, что модуль от Samsung, объем памяти восемь гигабайт, поколение DDR4, номинальная частота работы 2400 мегагерц, единичный ранг строения и последовательный серийный номер. Номер модели также можно увидеть на самой плате. Последняя цифра указывает на то, что планки, выпущенные в данном времени, относятся ко второй ревизии.

Визуально отмечается только шесть металлических слоев, однако производитель не указывает точное количество. В основу микросхем лег 18-нанометровый кристалл компании-производителя.

Описание разгона

Для тестирования представлено две планки по четыре гигабайта, разгон оперативной памяти DDR4 2400 начинается с минимальных частот. Для начала можно запустить программу CPU-Z и посмотреть на номинальную частоту оперативной памяти.

После этого нужно установить планки в свои слоты и запустить систему. Не дожидаясь появления значка операционной системы, нужно нажать определенную клавишу, на каждой материнской она разная, и вызвать БИОС. В разделе оперативной памяти, или DRAM, выставляются оптимальные тайминги, подбирается делитель и повышается вольтаж. В некоторых материнских платах есть уже подготовленные настройки по разгону оперативной памяти.

Когда все значения выставлены, можно перезагрузить компьютер и дождаться полной загрузки. После этого можно зайти в «Диспетчер устройств» или воспользоваться CPU-Z, чтобы убедиться в работоспособности планок и их разгона.

Описание оборудования для разгона ОЗУ Crucial DDR4

Для разгона оперативной памяти Crucial DDR4 используется материнская плата BioStar с сокетом АМ4, форм-фактор которой miniATX. Процессор установлен AMD Ryzen, у которого четыре ядра и восемь потоков. Номинальная частота центрального процессора равна 3700 мегагерц, а кэш третьего уровня доходит до восьми мегабайт.

Для демонстрации прироста понадобится дискретный графический адаптер, в лице которого представлена GeForce GTX 1050Ti. Четыре гигабайта видеопамяти типа GDDR5 обладают 128-битной шиной и 768 CUDA-ядрами.

Блок питания от ZALMAN мощностью 450 ватт обладает бронзовым сертификатом качества международного уровня «80+».

Сама оперативная память представлена в виде одной планки на восемь гигабайт. Ее частота в стоке составляет 2400 мегагерц, а время задержки 17-17-17-42.

Разгон ОЗУ

При работе с частотами 2400 мегагерц можно выставить тайминги по умолчанию или с показателями 15-15-15-32. Для разгона до 3333 мегагерц понадобится одна уловка. Дело в том, что оперативная память от данного производителя не даст запуститься системе, если первое значение в таймингах будет меньше двадцати. Получается, что оптимальный вариант будет выглядеть следующим образом: 20-19-19-38.

При минимальном латентном показателе 15-15-15-32 и с частотой 2400 мегагерц скорость чтения файлов всего 18180 мегабайт в секунду. С аналогичной частотой, но в стоковом режиме 17-17-17-39 показатели чтения данных не меняются. При разгоне модуля до 3333 мегагерц скорость чтения информации возрастает до 24 тысяч мегабайт в секунду.

В стоковом режиме оперативная память в играх демонстрирует показатели от 50 до 60 кадров, а при разгоне данный показатель дает прирост в 10-15 кадров. При этом настройки графики в играх выставлены на максимальное значение.

Источник: fb.ru

Настроить тайминги оперативной памяти ddr4 программа

Содержание

Подготовка